웨이퍼 제조 공정: 반도체 제조의 기본 단계
웨이퍼 제조는 반도체 제조에서 가장 기본적인 단계입니다.
웨이퍼는 반도체 칩 제조의 기초로 사용되는 실리콘 조각입니다.
웨이퍼 제조 공정은 세 가지 주요 단계로 나눌 수 있습니다.
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1단계: 실리콘 잉곳 절단
첫 번째 단계는 실리콘 잉곳을 일정한 두께의 웨이퍼로 절단하는 것입니다.
잉곳을 고온에서 녹이고 종자라고 불리는 작은 실리콘 조각을 첨가하여 결정 성장을 유도합니다.
결정이 충분히 성장하면 잉곳을 일정한 두께로 슬라이스한다.
2단계: 웨이퍼 표면 연마
두 번째 단계는 웨이퍼 표면을 평평하고 매끄럽게 만드는 연마입니다.
표면을 연마하여 불순물과 결함을 제거하여 완벽하게 평평하고 균일한 표면을 만듭니다.
3단계: 세척 및 표면 준비
세 번째 단계는 웨이퍼 표면을 청소하고 추가 처리를 위해 준비하는 것입니다.
이 단계는 불순물을 제거하고 표면에 특정 원소를 추가하여 반도체 제조를 위한 표면을 준비합니다.
요약하면, 웨이퍼 제조는 반도체 제조 공정에서 중요한 단계입니다.
생산된 웨이퍼는 반도체 칩 제조의 기초로 사용되며 웨이퍼의 품질은 최종 제품의 성능에 직접적인 영향을 미칩니다.
따라서 웨이퍼 제조 공정은 지속적으로 고품질 웨이퍼를 보장하기 위해 신중하게 제어되어야 합니다.